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三星電子開發(fā)出 10nm級 DRAM 內(nèi)存晶粒目前良品率有一成

by: 億配芯城ICGOODFIND 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 18:04:27

10 月 22 日消息，韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子在本月實現(xiàn)了一項重大突破，首次開發(fā)出 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存 Good Die 良品晶粒。這一成果在公司內(nèi)部得到了積極評價。

然而，三星的 1c nm DRAM 量產(chǎn)開發(fā)仍需一段時間。目前，首批產(chǎn)品良率不足一成。在產(chǎn)能方面，三星電子計劃在今年底前建成第一條 1c nm DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線。

三星電子開發(fā)出 10nm級 DRAM 內(nèi)存晶粒目前良品率有一成.jpg

參考相關(guān)報道，三星電子下代 HBM 內(nèi)存 HBM4 預(yù)計將基于 1c nm DRAM。三星此舉旨在通過制程優(yōu)勢追趕在 HBM3E 量產(chǎn)供應(yīng)上更為快速的 SK 海力士與美光兩大對手，從而奪回在 HBM 領(lǐng)域的市場份額。

根據(jù)行業(yè)以往慣例，每代 DRAM 制程通常首先應(yīng)用于 DDR 通用內(nèi)存，然后逐漸擴展到 LPDDR，最終再在對 DRAM 良率與性能要求嚴苛的 HBM 上使用。

不過，考慮到 1c nm DRAM 世代首臺產(chǎn)線直到今年底才會建成，全面量產(chǎn)最早也需要到 2025 上半年。而此前消息稱三星電子 HBM4 將于 2025 年底量產(chǎn)，這意味著三星很可能在 1c nm 上打破常規(guī)順序，對該 DRAM 制程的良率與性能爬坡速度提出了更高要求。

億配芯城（ICgoodFind）總結(jié)：三星電子在 DRAM 領(lǐng)域的新突破為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的活力。在競爭激烈的市場環(huán)境中，技術(shù)創(chuàng)新和量產(chǎn)能力至關(guān)重要。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的動態(tài)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件及專業(yè)服務(wù)，共同見證行業(yè)的發(fā)展與進步。

文章標簽：三星電子，DRAM ，內(nèi)存

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