7?月?22?日消息，TrendForce?集邦咨詢于今日發(fā)布的最新研報(bào)表明，在?HBM?和?QLC?崛起的有力推動(dòng)下，2024?年?DRAM?內(nèi)存和?NAND?閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收年增幅度均將大幅超過七成。
具體來看，DRAM?內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收預(yù)計(jì)可達(dá)?907?億美元（約合?6602.49?億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng)?75%；NAND?閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收有望達(dá)到?674?億美元（約合?4906.37?億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng)?77%。
展望?2025?年，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，DRAM?內(nèi)存、NAND?閃存產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收還將分別實(shí)現(xiàn)?51%?和?29%?的環(huán)比增長(zhǎng)，分別達(dá)到?1365?億美元和?870?億美元。
研報(bào)指出，2024、2025?兩年的?DRAM?內(nèi)存均價(jià)將分別上漲?53%?和?35%。
驅(qū)動(dòng)?DRAM?內(nèi)存產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速增長(zhǎng)的主要因素涵蓋以下四項(xiàng)：HBM?的崛起、一般型?DRAM?產(chǎn)品的世代演進(jìn)、原廠資本支出限縮供給以及服務(wù)器需求的復(fù)蘇。其中，HBM?內(nèi)存的大熱將同時(shí)提升位元需求和產(chǎn)業(yè)平均價(jià)格，預(yù)估今年?HBM?將貢獻(xiàn)?DRAM?位元出貨量的?5%，營(yíng)收貢獻(xiàn)可達(dá)?20%。
此外，服務(wù)器?DDR、移動(dòng)?LPDDR?內(nèi)存的世代更替同樣有助于高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透，進(jìn)而拉高?DRAM?內(nèi)存的平均價(jià)格。研報(bào)預(yù)計(jì)，DDR5?內(nèi)存將在?2024、2025?兩年的服務(wù)器?DRAM?位元出貨量中分別占據(jù)?40%?和?60?-?65%；而?LPDDR5?(X)?在今明兩年也將分別貢獻(xiàn)移動(dòng)內(nèi)存位元出貨量的?50%?和?60%。
對(duì)于?NAND?閃存而言，其明年產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的動(dòng)力除了與?DRAM?內(nèi)存相同的原廠資本支出限縮供給、服務(wù)器需求復(fù)蘇外，還包含?QLC?企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的崛起和智能手機(jī)對(duì)?QLC?UFS?閃存的引入。
北美云服務(wù)供應(yīng)商已在?AI?推理服務(wù)器上大規(guī)模應(yīng)用?QLC?企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，尤其是?QLC?的大容量型號(hào)。研報(bào)預(yù)計(jì)，部分中國(guó)業(yè)者將從今年?4?季度起在智能手機(jī)中搭載?QLC?UFS?存儲(chǔ)，而蘋果?iPhone?則將從?2026?年開始導(dǎo)入此類產(chǎn)品。在種種因素的共同作用下，QLC?閃存將在今年貢獻(xiàn)整體?NAND?位元出貨量的?20%，且明年這一數(shù)值還將進(jìn)一步提高。
