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7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D?NAND?閃存制造商長江存儲，日前再次將美光訴諸法庭。此次在美國加州北區(qū)，長江存儲指控美光侵犯了其多達 11 項專利，涵蓋 3D NAND?Flash?和?DRAM?產品領域。
長江存儲不僅提出這一指控，還向法院請求下令美光停止在美國銷售涉嫌侵權的存儲產品，并要求美光支付相應的專利使用費。
長江存儲宣稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的部分 DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列），均侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。
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