技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 6 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.021 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 1.6 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 1.9 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 470 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 2 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 470pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 800 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 2 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 1.6 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長度： | 3 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, 工業(yè), Power Management, Industrial | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC658AP
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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FDC658AP
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Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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FDC637BNZ
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Freescale (飛思卡爾) | 類似代替 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，高達 9.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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FDC637BNZ
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，高達 9.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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FDC634P
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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FDC637BNZ
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Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，高達 9.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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FDC655BN
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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