技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 6 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 0.021 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性: | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 1.6 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: | 800 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 6.2A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 895pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 800 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 1.6W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TSOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長度: | 3 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TSOT-23-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn): | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: | 2015/06/15 | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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![]() |
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-963-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, 雙N溝道, 20V, SOT-963
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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