技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 6 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.021 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 1.6 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 800 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 670pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 800 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 1.6 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長度： | 3 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, 工業(yè) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC658AP
|
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
|
||
FDC658AP
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
|
||
|
|
Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
|
||
FDC634P
|
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
|
||
NTUD3170NZT5G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-963-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 場效應(yīng)管, MOSFET, 雙N溝道, 20V, SOT-963
|
||
FDC655BN
|
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價
最新評價
暫時還沒有評價
期待你分享科技帶來的樂趣