封裝參數(shù)/封裝: | SSOT | ? |
外形尺寸/封裝: | SSOT | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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Fairchild (飛兆/仙童) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 單 P 溝道 邏輯電平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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Freescale (飛思卡爾) | 類(lèi)似代替 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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Rochester (羅切斯特) | 類(lèi)似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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Fairchild (飛兆/仙童) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶體管, MOSFET, N溝道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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