我國簡直以1500億美圓的投資標明了其在存儲芯片范疇自給自足的決計，并且最有可能完成其目的。這些內(nèi)存方案之一就是合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術(shù)工藝的擴展和開展。
依據(jù)長江存儲和合肥長鑫的產(chǎn)品開展道路圖。到2021年，二者分別在NAND FLASH和DRAM的產(chǎn)品研發(fā)進度上獲得打破，后者將完成17nm的研發(fā)。到2020年，長江存儲直接騰躍到128層3D NAND的目的，并消弭從64層到128層的過程，且繞開主要NAND制造商消費的96層閃存芯片。
內(nèi)存芯片為何如此重要？
關(guān)于存儲器市場，國內(nèi)主要幾家存儲廠商開展正勁。由于我國是半導(dǎo)體的主要市場，大局部靠進口。2018年，我國在進口半導(dǎo)體組件上破費了3120億美圓。內(nèi)存芯片構(gòu)成最大的組件，價值1240億美圓，簡直占比40％。
作為半導(dǎo)體的中心組件，我國盡量希望減少對外資半導(dǎo)體的依賴。同時，希望經(jīng)過增加本身的的研發(fā)作產(chǎn)才能來減少進口此類產(chǎn)品的費用。
另外，最近與美國的貿(mào)易爭端加劇了我國方面減少對進口芯片（特別是來自美國公司的芯片）的需求。美國政府決議將華為列入其實體名單，并在其重要需求芯片范疇對其“掐咽喉”。眾多事情讓我們認識到，假如不開展本人的芯片，未來又會發(fā)作什么。
國產(chǎn)內(nèi)存芯片正獲得停頓
依據(jù)<電子發(fā)燒友>記者控制的信息，目前全球存儲NAND FLASH市場由六家公司控制。三星，東芝，美光，西部數(shù)據(jù)，SK海力士和英特爾。DRAM市場愈加集中，只要三家公司消費簡直一切的DRAM芯片。它們分別是三星，SK海力士和美光。
反觀國內(nèi)，長江存儲著力于NAND FLASH的消費，合肥長鑫努力于DRAM的消費。福建晉華曾經(jīng)是第三家，但由于美國商務(wù)部對其DRAM設(shè)備、器件的禁售，招致其暫墮入窘境。
國內(nèi)的存儲芯片消費研發(fā)起步較晚。在NAND FLASH產(chǎn)品方面，2018年第二季度，長江存儲才正式推出32層的3D NAND閃存芯片，今年8月該公司的64層3D NAND已啟動量產(chǎn)。令人驚喜的是，合肥長鑫DRAM產(chǎn)品19nm級第一代8Gb DDR4也開端投產(chǎn)。
目前的產(chǎn)量很低，每月約有20,000個12英寸晶圓，但兩家公司應(yīng)該可以在明年之前將月產(chǎn)量進步到100,000至150,000個晶圓。兩家公司在工藝技術(shù)方面也落后，但他們有雄心勃勃的方案來減少差距。
例如，長江存儲的目的是在2020年完成128層QLC芯片的批量消費，這與其他打算消費128層芯片的NAND制造商相吻合。該公司宣稱其Xtacking架構(gòu)為其NAND芯片提供了更高的性能，并具有更快的讀寫速度，更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品制造周期。
合肥長鑫的平爾萱博士在CFMS2019上的一次演講中指出，該公司正在研討包括EUV，HKMG和GAA在內(nèi)的技術(shù)，這將使其可以改善其當前的10nm級制造工藝。他宣稱本人的技術(shù)與同行相近，目的是盡快趕上。
存儲企業(yè)內(nèi)存消費方案龐大
更重要的是，國產(chǎn)存儲企業(yè)打算將在產(chǎn)線消費才能上進步到幾。除武漢和合肥外，我國另外三個城市也正在建立存儲器工廠。同時，晉江也可能會開端DRAM消費，但是目前由于法律問題，參與其中的公司福建晉華目前處于窘境。
表1：國產(chǎn)存儲芯片五大研發(fā)作產(chǎn)基地。 來源/電子發(fā)燒友制表
就投資工程而言，已撥出100到1500億美圓的資金來協(xié)助在這些城市中啟動內(nèi)存消費。晶圓廠的產(chǎn)能將分階段上線，但五個城市中的每個晶圓廠最終將具有每月200,000至300,000片12英寸晶圓的產(chǎn)能。
假如一切按方案停止，國產(chǎn)存儲芯每月的內(nèi)存消費才能將在1,000,000至1,500,000晶圓之間。依據(jù)筆者查詢到的相關(guān)數(shù)據(jù)顯現(xiàn)，目前全球DRAM和NAND存儲器的月消費才能分別約為1,200,000和1,500,000片晶圓。
這些數(shù)字分明地標明，從如今起以至可能更快的幾年內(nèi)，國產(chǎn)存儲芯片將可以在存儲器市場的供給方面發(fā)揮很大的影響力。
