7 月 26 日消息，據(jù) IP Fray 昨天報道，德國芯片廠商英飛凌在與中國國產(chǎn)氮化鎵芯片龍頭英諾賽科的美國專利侵權(quán)訴訟中，于 2024 年 7 月 23 日修改了起訴內(nèi)容。其中關(guān)鍵的變化是起訴英諾賽科的專利數(shù)量由起初的 1 件，大幅增加至 4 件。
早在 2024 年 3 月 13 日，英飛凌（奧地利子公司）就向美國加利福尼亞北區(qū)地方法院起訴英諾賽科侵犯其一項美國專利 US9,899,481。此專利涉及一種橫向晶體管裝置和具有源感應(yīng)功能的軟件包，例如安裝在表面貼裝器件 (SMD) 中的橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT)，封裝可提供源感應(yīng)功能，以排除寄生源電感，而這種寄生源電感會導(dǎo)致在開關(guān)速度較高時，能量損耗可能會增加。
在原始起訴書中，英飛凌指控英諾賽科復(fù)制了其專利技術(shù)，并給出了清晰的對比圖示。例如，英飛凌認為英諾賽科的被控產(chǎn)品包括將源極焊盤（57）耦合到管芯焊盤（43）的多個接合線（61）。被控產(chǎn)品還包括 Kelvin Source（KS），它采用了獲得專利的 Source Sensing（48）功能（SS），可提高性能。
與原始起訴書類似，英飛凌此次修改后的起訴書，在新增加的 3 個專利中，也給出了相對明晰的侵權(quán)比對。
新增專利 1 為 US8,686,562（’562 號專利），發(fā)明名稱為“耐火金屬氮化物封端電觸點及其制作方法”。’562 號專利涉及一種用于半導(dǎo)體器件（如 GaN 功率晶體管或使用至少一種 III 族元素（如 Ga）和一種 V 族元素（如氮）制造的其他半導(dǎo)體功率器件（“III-V?功率半導(dǎo)體器件”）的電觸點，并促進與傳統(tǒng) IV 族半導(dǎo)體器件的兼容性和集成，如使用硅制造的器件?！?62 專利總體上描述了一種新型的難熔金屬氮化物覆蓋的電觸點，其提供了優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點，包括提高的成本效益以及更容易、更有效地集成 III-V 族功率半導(dǎo)體器件和硅器件。英飛凌認為'562 專利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括電極堆疊（漏極接觸焊盤金屬），其包括厚度大于最底部 Ti 層的氮化鈦（“TiN”）覆蓋層。
新增專利 2 是 US9,070,755（’755 號專利），發(fā)明名稱為“具有高漏極指端的晶體管”?！?55 號專利描述了適用于高端電場的功率晶體管中的漏極指狀電極的實現(xiàn)?？梢詫崿F(xiàn)增加的擊穿電壓，同時通過更短的源極到漏極半間距保持較低的比導(dǎo)通電阻。英飛凌認為’755 號專利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括漏極指狀電極（620b），其具有漏極指形電極主體（624b）和漏極指電極端部（626b），該漏極指式電極端部具有與漏極指型電極主體不共面的部分。
新增專利 3 為 US8,264,003（’003 號專利），發(fā)明名稱為“合并共源共柵晶體管”?！?03 號專利涉及一種具有柵極（G）的晶體管，其用于控制漏極（D）和源極（S）之間流動的電流。它解決了在高壓和/或高速開關(guān)應(yīng)用中使用傳統(tǒng)晶體管時可能出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。英飛凌認為’003 號專利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括一個晶體管，其第一部分 Q1 和第二部分 Q2 以合并的共源共柵幾何形狀串聯(lián)，并具有一個源極連接的第二柵極，該柵極包括一個場板。
值得注意的是，這起訴訟的時間點，剛好發(fā)生在英諾賽科擬登陸資本市場的前后。
