12 月 30 日,
英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市(股票簡稱 “英諾賽科”,股票代碼?
02577.HK),公司領導及員工共同敲響上市鐘,見證這一里程碑時刻。英諾賽科創(chuàng)始人、董事長駱薇薇博士稱:“英諾賽科是全球功率半導體革命領導企業(yè)和
氮化鎵晶片制造企業(yè),此次上市是重要里程碑,將邁向全球市場,用 GaN 改變世界,讓地球更綠色,持續(xù)專注技術(shù)創(chuàng)新,賦能客戶體驗氮化鎵產(chǎn)品?!?p style="text-align:center;">

英諾賽科 2017 年成立,專注第三代半導體氮化鎵芯片研發(fā)制造,產(chǎn)品含分立器件等。截至 2023 年末,其氮化鎵分立器件出貨量全球第一,市占率 42.4%。它率先建全球首條 8 英寸 GaN 產(chǎn)線,解決氮化鎵器件推廣痛點,推動其替代硅器件進程,多項 “第一” 奠定全球領導地位,如首家實現(xiàn) 8 英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn),使每晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)升 80%、芯片成本降 30%,加速商業(yè)化。截至 2024 年 6 月,累計出貨超 8.5 億顆。

業(yè)績增長顯著,2023 年收入約 5.93 億元,較 2021 年增 769%。上市募資主要用于擴產(chǎn)能等,60% 資金提升 8 英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能,從每月 1.25 萬片到未來 5 年每月 7 萬片,還完善產(chǎn)品品類、拓寬應用領域,已實現(xiàn)氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,各產(chǎn)品收入增長,2023 年氮化鎵分立器件及集成電路收入約 1.92 億,復合年增長率 163%,氮化鎵晶圓收入約 2.09 億,復合年增長率 130.1%,當年還銷售氮化鎵模組收入約 1.9 億元,20% 募資用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合,提升終端市場滲透率,產(chǎn)品已廣泛覆蓋多領域應用。

隨著上市,英諾賽科有望借資本市場提升全球氮化鎵市場地位,加速技術(shù)與業(yè)務拓展,鞏固龍頭地位,創(chuàng)造新輝煌。
在全球半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展且氮化鎵技術(shù)逐漸崛起的背景下,英諾賽科的上市及其發(fā)展歷程成為行業(yè)亮點。
億配芯城與
ICGOODFIND關注到,英諾賽科憑借技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴張和市場拓展,在氮化鎵領域取得領先地位和高速增長,其上市為進一步發(fā)展提供機遇,也為半導體企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、市場競爭和資本運作方面提供范例,促使行業(yè)思考如何把握新興技術(shù)趨勢,通過優(yōu)化資源配置和戰(zhàn)略布局,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展與全球競爭力提升,共同推動半導體產(chǎn)業(yè)邁向新高度,為各行業(yè)應用提供更高效的半導體解決方案。