9月5日，日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI公司宣布，他們成功開發(fā)出了一種低成本制造使用氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。這一突破有望極大地降低制造成本，從而推動(dòng)快速充電器等設(shè)備的普及。
據(jù)介紹，新技術(shù)的制造成本可降低至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。這種低成本制造技術(shù)對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體材料具有重要意義。如果能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，將大大促進(jìn)氮化鎵在快速充電器和其他設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用。
信越化學(xué)工業(yè)和OKI開發(fā)的新技術(shù)采用了特殊的QST基板，通過噴灑鎵系氣體使晶體生長(zhǎng)。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了從基板上只揭下晶體的目標(biāo)。這些晶體可以放置在其他基板上，作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。
相比傳統(tǒng)的在GaN基板上生長(zhǎng)GaN晶體的方法，新制法不僅制造效率更高，成品率也大大提高，同時(shí)還降低了90%的成本。此外，新制法不需要基板與晶體之間的絕緣層，加上晶體的厚膜化技術(shù)，可以承受高達(dá)20倍的電流。
信越化學(xué)工業(yè)透露，目前這項(xiàng)技術(shù)可以制造6英寸晶圓，但公司計(jì)劃在2025年將晶圓尺寸擴(kuò)大至8英寸。未來，信越化學(xué)工業(yè)還考慮向其他半導(dǎo)體廠商銷售這項(xiàng)技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體材料的應(yīng)用和發(fā)展。
隨著科技的不斷進(jìn)步和能源需求的持續(xù)增長(zhǎng)，低成本、高效能的氮化鎵功率半導(dǎo)體材料越來越受到關(guān)注。信越化學(xué)工業(yè)和OKI公司的這項(xiàng)新技術(shù)為氮化鎵的大規(guī)模應(yīng)用提供了可能性，有望在未來的半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。同時(shí)，這一突破也將進(jìn)一步推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展。
