2月10日，GlobalFoundries（格芯）最近宣布，已收購瑞薩電子（Renesas Electronics）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的傳導橋接RAM（CBRAM）芯片技術(shù)，這是一種低功耗存儲器解決方案，旨在實現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動設(shè)備的一系列應(yīng)用。?
GlobalFoundries宣布收購瑞薩CBRAM低功耗存儲芯片技術(shù)。
該交易進一步加強了格芯的存儲器產(chǎn)品組合，并通過增加另一個可靠的、可定制的嵌入式存儲器解決方案來擴大其嵌入式非易失性存儲器芯片（NVM），該解決方案相對容易集成到其他芯片技術(shù)節(jié)點。具體而言，這項技術(shù)將使客戶進一步差異化他們的SoC設(shè)計，并推動新一代安全和智能設(shè)備的發(fā)展。
格芯說，“我們致力于差異化我們的技術(shù)組合，成為我們客戶今天和未來幾十年高能效物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基礎(chǔ)。通過收購這一創(chuàng)新的存儲器技術(shù)，格芯現(xiàn)在在加快NVM解決方案的開發(fā)方面發(fā)揮了至關(guān)重要的作用，這將使我們的客戶能夠設(shè)計下一代智能互聯(lián)設(shè)備。CBRAM技術(shù)開啟了性能和超低功耗的新范式，使從可穿戴設(shè)備到智能手機的應(yīng)用程序在特定用例中將電池充電時間從幾小時延長到幾周甚至幾年?！?/span>
GlobalFoundries（格芯）宣布收購瑞薩CBRAM低功耗存儲技術(shù)。?
CBRAM的低功耗、高讀/寫速度、低制造成本以及對惡劣環(huán)境的耐受性使其成為消費者、醫(yī)療和某些工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。2020年，格芯與Dialog Semiconductor（于2021年被瑞薩收購）達成許可協(xié)議，將其CBRAM芯片技術(shù)作為嵌入式NVM選項。CBRAM目前正在該公司的22FDX平臺上進行認證，并計劃將其擴展到其他平臺。
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芯片技術(shù)
