技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 80 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0139 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 80 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 51A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 68 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1420pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 41 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 80000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 9.65 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.83 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not Recommended for New Designs | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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STB55NF06T4
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
|
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STB60NF06LT4
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶體管, MOSFET, N溝道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
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