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型號(hào): STB55NF06T4
描述: N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics STripFET? MOSFET,帶寬擊穿電壓范圍,可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管,STMicroelectronics
商品二維碼
封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
16.31  元 16.31元
5+:
¥ 19.0827
50+:
¥ 18.2672
200+:
¥ 17.8105
500+:
¥ 17.6964
1000+:
¥ 17.5822
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數(shù)量
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

60.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

50.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.015 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

110 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

3 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

60.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

50.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

50 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1300pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

110 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

110W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長度:

10.4 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.35 mm

?

外形尺寸/高度:

4.6 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Power Management, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Computers & Computer Peripherals, 通信與網(wǎng)絡(luò), 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn):

No SVHC

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

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