技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | -20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | -1.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.125 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 500 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 341 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 3.80 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±12.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -1.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 341pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 460 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 500mW (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-23-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 2.92 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 0.94 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-23-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTR1P02LT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, P溝道, -20V, 1.3A SOT-23
|
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