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型號: NTR1P02LT1G
描述: ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 場效應(yīng)管, MOSFET, P溝道, -20V, 1.3A SOT-23
商品二維碼
封 裝: SOT-23-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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20+:
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50+:
¥ 0.4125
100+:
¥ 0.3960
300+:
¥ 0.3828
500+:
¥ 0.3729
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

-20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

-1.30 A

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.14 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

400 mW

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

225 pF

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

20 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±12.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

1.30 A, 1.30 mA

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

225pF @5V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

400 mW

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

20 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

400mW (Ta)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

SOT-23-3

?

外形尺寸/封裝:

SOT-23-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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