技術參數(shù)/針腳數(shù): | 6 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻: | 33 mΩ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率: | 1.6 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓: | 700 mV | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 20 V | ? |
技術參數(shù)/上升時間: | 11 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 1926pF @10V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max): | 800 mW | ? |
技術參數(shù)/下降時間: | 45 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max): | 1.6 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TSOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長度: | 3 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TSOT-23-6 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應用: | 工業(yè), 電源管理, Power Management, Industrial | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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![]() |
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關,可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構,可提供電荷平衡。 利用這一先進技術,這些設備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于之前的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性,以減少結電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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