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型號: FDC602P
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC602P 晶體管, MOSFET, P溝道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mV
商品二維碼
封 裝: TSOT-23-6
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
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10+:
¥ 1.1880
50+:
¥ 1.1264
100+:
¥ 1.0824
300+:
¥ 1.0560
500+:
¥ 1.0296
1000+:
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2500+:
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數(shù)量
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

-20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

-5.50 A

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

6

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.035 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

1.6 W

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

1.46 nF

?

技術(shù)參數(shù)/柵電荷:

14.0 nC

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

20 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

-20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±12.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

-5.50 A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

11 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1456pF @10V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

800 mW

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

11 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

1.6W (Ta)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

6

?

封裝參數(shù)/封裝:

TSOT-23-6

?

外形尺寸/長度:

3 mm

?

外形尺寸/寬度:

1.7 mm

?

外形尺寸/高度:

1 mm

?

外形尺寸/封裝:

TSOT-23-6

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn):

No SVHC

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/06/15

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 VISHAY (威世) 功能相似 TSOP-6
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6Pin TSOP T/R
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