技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 6.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.025 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | Dual N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 1 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 650 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 6.20 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±10.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 6.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 9 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 650pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 900 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 4 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
海關信息/香港進出口證： | NLR | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935A 雙路場效應管, MOSFET, 雙P溝道, -7 A, -30 V, 23 mohm, -10 V, -1.6 V
|
||
FDS6975
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6975 雙路場效應管, MOSFET, 雙P溝道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V
|
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