技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | -30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | -6.00 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.025 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel, Dual P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 1.54 nF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 14.5 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -6.00 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 22 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1540pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 900 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 18 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 3.9 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7313TRPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7313TRPBF 雙路場效應(yīng)管, MOSFET, 雙N溝道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
|
||
FDS6975
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | SOIC-8 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 雙 Si P溝道 MOSFET FDS6975, 6 A, Vds=30 V, 8引腳 SOIC封裝
|
||
FDS9926A
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 雙路場效應(yīng)管, MOSFET, 雙N溝道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
|
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