技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.15 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 208 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 20.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Cut Tape (CT) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Industrial, Lighting, Alternative Energy, Communications & Networking, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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Rochester (羅切斯特) | 完全替代 | TO-263 |
SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 使用超級(jí)結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅(jiān)固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用，如服務(wù)器、電信、計(jì)算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽(yáng)能逆變器和照明應(yīng)用。 利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn)更高效經(jīng)濟(jì)的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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FCB20N60TM
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Fairchild (飛兆/仙童) | 完全替代 | TO-263-3 |
SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 使用超級(jí)結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅(jiān)固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用，如服務(wù)器、電信、計(jì)算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽(yáng)能逆變器和照明應(yīng)用。 利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn)更高效經(jīng)濟(jì)的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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