技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 20.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.15 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 208 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 3.08 nF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 20.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 140 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3080pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 208 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 208W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 9.65 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.83 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FCB20N60
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 完全替代 | TO-263 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
|
||
FCB20N60FTM
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 使用超級結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用，如服務(wù)器、電信、計算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應(yīng)用。 利用先進的電荷平衡技術(shù)，設(shè)計人員可實現(xiàn)更高效經(jīng)濟的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
|
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