技術參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 230 mΩ | ? |
技術參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 625 mW | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 30 V | ? |
技術參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±12.0 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 1.50 A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 6.4 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 330pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 6.4 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | 55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 625mW (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長度： | 3.1 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.8 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-23-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ZXM62P03E6TA
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Diodes (美臺) | 類似代替 | SOT-23-6 |
P溝道 30V 1.5A
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ZXM62P03E6TA
|
Diodes Zetex (捷特科) | 類似代替 | SOT-23-6 |
P溝道 30V 1.5A
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|
Rochester (羅切斯特) | 功能相似 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 雙 Si P溝道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引腳 SOT-23封裝
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||
FDC6312P
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? 雙 P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構，可提供電荷平衡。 利用這一先進技術，這些設備的 FOM（品質因素）顯著低于前一代的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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