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型號: FDC6318P
描述: MOSFET Transistor, Dual P Channel, 2.5A, -12V, 90mohm, -4.5V, 700mV
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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
FDC6312P FDC6312P ON Semiconductor (安森美) 類似代替 TSOT-23-6
PowerTrench? 雙 P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù),這些設備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于前一代的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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FDC6306P FDC6306P ON Semiconductor (安森美) 類似代替 TSOT-23-6
ON Semiconductor PowerTrench 系列 雙 Si P溝道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引腳 SOT-23封裝
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