據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》消息，三星、SK 海力士等存儲巨頭已通知客戶，2025 年第四季度將把DRAM和NAND 閃存價格上調(diào)最多30%?，以應(yīng)對 AI 驅(qū)動的需求激增。這一漲幅略高于預期 ——9 月三星曾計劃 DRAM 漲價 15%-30%、NAND 漲價 5%-10%，而花旗、摩根士丹利最新預測，第四季度 DRAM 均價漲幅將達 25%-26%，環(huán)比超 10%。
存儲芯片加速邁入 “超級周期” 已成市場共識。威剛董事長直言，第四季度只是存儲嚴重缺貨的起點，明年供貨仍將吃緊。市場恐慌情緒催生囤貨潮，國際電子和服務(wù)器公司正與三星、SK 海力士洽談2-3 年長期供應(yīng)協(xié)議，打破以往短約傳統(tǒng)。
此輪行情的核心驅(qū)動力是AI 和高性能計算需求爆發(fā)。美光高管指出，HBM（高帶寬內(nèi)存）?需求激增直接推高 DRAM 價格，其晶圓消耗量是標準 DRAM 的三倍多；摩根士丹利預測，谷歌、亞馬遜等科技巨頭今年在 AI 基建上的投入高達4000 億美元。產(chǎn)業(yè)鏈隨即跟進，三星加速研發(fā) HBM4，計劃近期發(fā)布、年底量產(chǎn)；佰維存儲也在推進晶圓級先進封測項目，加緊惠州產(chǎn)能擴建。
價格方面，HBM 漲勢尤為迅猛。TrendForce 預測，2025 年 HBM 均價將同比漲 20.8% 至 1.80 美元 / Gb；機構(gòu)更預計，明年上市的 12 層 HBM4 單價將達 500 美元，比同規(guī)格 HBM3e 高 60% 以上。值得關(guān)注的是，隨著 AI 投資從訓練轉(zhuǎn)向推理，DRAM 需求或進一步增長，韓國 KB 證券預測，明年非 HBM 內(nèi)存盈利能力可能超越 HBM。
對于后市，上海證券看好本輪存儲大周期，認為 AI 需求與海外原廠產(chǎn)能限制將支撐 2025 年第四季度漲價趨勢持續(xù)；華邦電董事長則持保守態(tài)度，指出當前 DRAM 供需不平衡，不排除實際需求不及預期，但目前供不應(yīng)求的現(xiàn)狀仍推動價格狂飆。
億配芯城（ICgoodFind）總結(jié)：存儲芯片漲價潮已牽動全球產(chǎn)業(yè)鏈，供需格局與技術(shù)迭代值得行業(yè)高度關(guān)注。
