11月15日消息，據(jù)韓國今日電子新聞報道，三星計劃進口更多ASML極紫外EUV光刻機設(shè)備，總價值可能高達10萬億韓元。?
據(jù)悉，韓國三星電子在2023第三季度的虧損為3.75萬億韓元，再加上之前兩個季度的虧損，三星電子總虧損額已經(jīng)達到了12.69萬億韓元（約為699億）。
雖然由于合同中的保密條款未能披露具體細節(jié)，但證券市場消息稱，該協(xié)議將使ASML在五年內(nèi)提供總共50套設(shè)備，而每臺單價約為2000億韓元，總價值可達10萬億韓元（當前約551億元人民幣）。目前尚不清楚其合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有EUV光刻設(shè)備還是下一代“High NA EUV”光刻設(shè)備。不過，目前EUV光刻設(shè)備很大的問題是產(chǎn)量有限。據(jù)官方介紹，它“比衛(wèi)星部件還復雜”，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。據(jù)說去年是40臺，今年ASML估計是60臺。而目前需要且能購買到EUV光刻設(shè)備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的70%，剩下四家公司爭奪剩下的30%。
三星電子于去年6月推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術(shù)的3nm代工技術(shù)，因此該公司一直在努力確保采購更多EUV光刻設(shè)備，目標是在明年上半年進入3nm世代的第二代工藝，在2025年進入2nm工藝，在2027年進入1.4nm工藝。
隨著半導體設(shè)備工藝的不斷進步，對制造設(shè)備的要求也越來越高。EUV光刻技術(shù)作為一種先進的制造技術(shù)，能夠提高芯片的性能和集成度，因此備受行業(yè)關(guān)注。三星作為全球領(lǐng)先的半導體制造商之一，不斷追求更先進的制造工藝和技術(shù)，以確保其在市場上的競爭優(yōu)勢。此次進口更多的EUV光刻設(shè)備，也是三星繼續(xù)加強制造能力的重要舉措之一。?
