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其他/產(chǎn)品生命周期： | Not Recommended | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDD6N20TM
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
晶體管, MOSFET, N溝道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V
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FDD7N20TM
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Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過(guò) 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。 UniFET? MOSFET 適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展）和電子燈鎮(zhèn)流器。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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FDD6N20TM
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Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
晶體管, MOSFET, N溝道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V
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