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IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù)，可降低熱電阻和能源損耗。 這些設(shè)備提供快速切換時(shí)間，具有低尾線電流，并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有封裝。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達(dá)額定擊穿電壓 短路容量，確保 10usec 正向通態(tài)電壓溫度系數(shù) 可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和專有高電壓封裝 ### IGBT 分立元件和模塊，IXYS 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 1200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 125 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 125 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 9 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SMD-9 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 25 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 23 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 5.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SMD-9 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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