芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0056 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 2.2 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 2910pF @15V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 17.2A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 8.9 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2910pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 3.5 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 3.9 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Obsolete | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 通信與網(wǎng)絡(luò), Power Management, 電源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, 計算機和計算機周邊, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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SI4156DY-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
VISHAY SI4156DY-T1-GE3 晶體管, MOSFET, N溝道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V
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IRF8736PBF
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Infineon (英飛凌) | 類似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRF8736PBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V
|
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|
IFC | 類似代替 |
INFINEON IRF8113TRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SO-8 |
VISHAY SI4156DY-T1-GE3 晶體管, MOSFET, N溝道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V
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