技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC): 100 V
技術(shù)參數(shù)/額定電流: 59.0 A
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: 18 mΩ
技術(shù)參數(shù)/極性: N-Channel
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 160 W
技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列: IRF3710ZS
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: 4 V
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 100 V
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓: 100 V
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): 59.0 A
技術(shù)參數(shù)/上升時間: 77.0 ns
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): 2900pF @25V(Vds)
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): 160 W
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 175 ℃
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): -55 ℃
封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount
封裝參數(shù)/引腳數(shù): 3
封裝參數(shù)/封裝: TO-263-3
外形尺寸/封裝: TO-263-3
物理參數(shù)/工作溫度: -55℃ ~ 175℃
其他/產(chǎn)品生命周期: Active
其他/包裝方式: Tube
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): RoHS Compliant
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): Lead Free
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn): No SVHC
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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STB35NF10T4
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET?，STMicroelectronics ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
|
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STB40NF10LT4
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶體管, MOSFET, N溝道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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