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描述： DRAM 32M, 3.3V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
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封 裝： BGA-54
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技術(shù)參數(shù)/存取時間: 6 ns

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 85 ℃

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): 40 ℃

技術(shù)參數(shù)/電源電壓: 3V ~ 3.6V

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max): 3.6 V

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min): 2.7 V

封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount

封裝參數(shù)/封裝: BGA-54

外形尺寸/封裝: BGA-54

物理參數(shù)/工作溫度: -40℃ ~ 85℃ (TA)

其他/產(chǎn)品生命周期: Obsolete

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): 無鉛

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IS42SM16200D-75BLI-TR IS42SM16200D-75BLI-TR Integrated Silicon Solution(ISSI) 類似代替 TFBGA-54
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 32M, 3.3V, Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
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