技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC): 80.0 V
技術(shù)參數(shù)/額定電流: 7.60 A
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù): 1
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: 22 mΩ
技術(shù)參數(shù)/極性: N-Channel
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 2.5 W
技術(shù)參數(shù)/輸入電容: 1.80 nF
技術(shù)參數(shù)/柵電荷: 34.0 nC
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 80 V
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓: 80 V
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓: ±20.0 V
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): 7.60 A
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: 8 ns
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): 1800pF @25V(Vds)
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): 1 W
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: 16 ns
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 150 ℃
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): -55 ℃
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): 2.5W (Ta)
封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount
封裝參數(shù)/引腳數(shù): 8
封裝參數(shù)/封裝: SOIC-8
外形尺寸/長(zhǎng)度: 4.9 mm
外形尺寸/寬度: 3.9 mm
外形尺寸/高度: 1.575 mm
外形尺寸/封裝: SOIC-8
物理參數(shù)/工作溫度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/產(chǎn)品生命周期: Active
其他/包裝方式: Tape & Reel (TR)
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): RoHS Compliant
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): Lead Free
海關(guān)信息/ECCN代碼: EAR99
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS3580
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N溝道 MOSFET FDS3580, 7.6 A, Vds=80 V, 8引腳 SOIC封裝
|
||
NTMS4503NR2
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
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