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型號(hào): IRS2609DSPBF
描述: MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器,半橋,Infineon Infineon 系列高電壓端和低電壓端半橋 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍從 6 V 到 20 V CMOS 施密特觸發(fā)器輸入 兩個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)器 匹配的傳播延遲,用于兩個(gè)通道 輸出相位,帶輸入 無(wú)鉛,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,Infineon (International Rectifier)
商品二維碼
封 裝: SOIC-8
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
8.81  元 8.81元
10+:
¥ 10.5696
100+:
¥ 10.0411
500+:
¥ 9.6888
1000+:
¥ 9.6712
2000+:
¥ 9.6007
5000+:
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7500+:
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10000+:
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數(shù)量
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價(jià)格
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技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC): 10.0V (min)

技術(shù)參數(shù)/上升/下降時(shí)間: 150ns, 50ns

技術(shù)參數(shù)/輸出接口數(shù): 1

技術(shù)參數(shù)/輸出電壓: 620 V

技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 625 mW

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間(Max): 80 ns

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間(Max): 220 ns

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 125 ℃

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): -40 ℃

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): 625 mW

技術(shù)參數(shù)/電源電壓: 10V ~ 20V

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max): 20 V

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min): 10 V

封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount

封裝參數(shù)/引腳數(shù): 8

封裝參數(shù)/封裝: SOIC-8

外形尺寸/長(zhǎng)度: 5 mm

外形尺寸/寬度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.5 mm

外形尺寸/封裝: SOIC-8

物理參數(shù)/工作溫度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/產(chǎn)品生命周期: Active

其他/包裝方式: Tube

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): RoHS Compliant

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): Lead Free

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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