技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: 270 mΩ
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 1.3 W
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: 2 V
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 100 V
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 175 ℃
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): -55 ℃
技術(shù)參數(shù)/工作結(jié)溫(Max): 150 ℃
封裝參數(shù)/安裝方式: Through Hole
封裝參數(shù)/引腳數(shù): 4
封裝參數(shù)/封裝: DIP
外形尺寸/封裝: DIP
物理參數(shù)/工作溫度: -55℃ ~ 175℃
其他/產(chǎn)品生命周期: Active
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): RoHS Compliant
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): Lead Free
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLD110PBF
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Vishay Siliconix | 類似代替 | DIP-4 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
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IRLD110PBF
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Vishay Precision Group | 類似代替 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
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IRLD110PBF
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VISHAY (威世) | 類似代替 | DIP-4 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
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IRLD120
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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IRLD120
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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IRLD120
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DIP-4 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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