技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 170W (Tc)
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 500 V
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): 1423pF @25V(Vds)
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): 170W (Tc)
封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount
封裝參數(shù)/引腳數(shù): 3
封裝參數(shù)/封裝: TO-263-3
外形尺寸/封裝: TO-263-3
物理參數(shù)/工作溫度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/產(chǎn)品生命周期: Active
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): RoHS Compliant
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): Lead Free
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  IRFS11N50A | Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 | 
                        MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK                     | ||
|  SIHP7N60E-GE3 | VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 | 
                        MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB                     | ||
|  SIHP7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 | 
                        MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB                     | ||
|  SIHP7N60E-GE3 | Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 | 
                        MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB                     | ||
|  STB10NB50 | ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | D2PAK | 
                        N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFET                     | 
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