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型號: FCMT199N60
描述: SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 使用超級結技術增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能,適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關模式電源 (SMPS) 應用,如服務器、電信、計算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應用。 利用先進的電荷平衡技術,設計人員可實現(xiàn)更高效經(jīng)濟的高性能解決方案,可占用更少板空間并提高可靠性。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性,以減少結電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
商品二維碼
封 裝: Power-88-4
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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技術參數(shù)/漏源極電阻: 199 mΩ

技術參數(shù)/極性: N-CH

技術參數(shù)/耗散功率: 208 W

技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 600 V

技術參數(shù)/漏源擊穿電壓: 600 V

技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): 20.2A

技術參數(shù)/上升時間: 10 ns

技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): 2950pF @100V(Vds)

技術參數(shù)/下降時間: 5 ns

技術參數(shù)/工作溫度(Max): 150 ℃

技術參數(shù)/工作溫度(Min): -55 ℃

技術參數(shù)/耗散功率(Max): 208W (Tc)

封裝參數(shù)/安裝方式: Surface Mount

封裝參數(shù)/引腳數(shù): 4

封裝參數(shù)/封裝: Power-88-4

外形尺寸/長度: 8 mm

外形尺寸/寬度: 8 mm

外形尺寸/高度: 1.05 mm

外形尺寸/封裝: Power-88-4

物理參數(shù)/工作溫度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/產(chǎn)品生命周期: Active

其他/包裝方式: Tape & Reel (TR)

符合標準/RoHS標準: RoHS Compliant

符合標準/含鉛標準: 無鉛

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