技術(shù)參數(shù)/額定功率: 330 W
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù): 1
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): 3
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: 0.012 Ω
技術(shù)參數(shù)/極性: N-CH
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: 330 W
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: 3 V
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): 150 V
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓: 150 V
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): 83A
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): 4530pF @25V(Vds)
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): 175 ℃
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): -40 ℃
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): 330W (Tc)
封裝參數(shù)/安裝方式: Through Hole
封裝參數(shù)/引腳數(shù): 3
封裝參數(shù)/封裝: TO-220-3
外形尺寸/長度: 10 mm
外形尺寸/寬度: 4.4 mm
外形尺寸/高度: 8.77 mm
外形尺寸/封裝: TO-220-3
物理參數(shù)/工作溫度: -40℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/產(chǎn)品生命周期: Active
其他/包裝方式: Tube
其他/制造應用: Power Management, 電源管理, Consumer Electronics, 消費電子產(chǎn)品
符合標準/RoHS標準: RoHS Compliant
符合標準/含鉛標準: Lead Free
符合標準/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
227P
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
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IRF | 類似代替 |
INFINEON IRFB4227PBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
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IRFB4227PBF
|
IFA | 類似代替 |
INFINEON IRFB4227PBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
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IRFZ14PBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Infineon (英飛凌) | 功能相似 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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LiteOn (光寶) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
|
Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
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