| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數據手冊 | |
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2N7002K
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NCE | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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Vishay Siliconix | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 類似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NXP (恩智浦) | 類似代替 | TO-236 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Kexin | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NCE Power (新潔能) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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MDD (辰達半導體) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Panjit (強茂) | 類似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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BS170
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GE (通用電氣) | 類似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 ### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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BS170
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TO-226-3 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 ### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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BS170
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Major Brands | 類似代替 | TO-92 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 ### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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BSS123
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Siemens Semiconductor (西門子) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Blue Rocket Electronics (藍箭) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Philips (飛利浦) | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Zetex | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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KUU（永裕泰) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Infineon (英飛凌) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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AnBon (臺灣安邦) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Freescale (飛思卡爾) | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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