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Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅動。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。 OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節(jié)標準的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增強模式 AEC 合格 MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作溫度 綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標準) ### MOSFET 晶體管,Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進功率 MOSFET 中的頂級性能
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技術參數(shù)/極性: | N-CH | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 60 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 90A | ? |
技術參數(shù)/上升時間: | 70 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 7980pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間: | 5 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max): | 175 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max): | 150 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-220-3-1 | ? |
外形尺寸/長度: | 10 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 4.4 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 15.65 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-220-3-1 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Obsolete | ? |
其他/包裝方式: | Tube | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
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