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描述: Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。 OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增強(qiáng)模式 AEC 合格 MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作溫度 綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)) ### MOSFET 晶體管,Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進(jìn)功率 MOSFET 中的頂級性能
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封 裝: TO-252-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
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5+:
¥ 3.6720
25+:
¥ 3.4000
50+:
¥ 3.2096
100+:
¥ 3.1280
500+:
¥ 3.0736
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技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

36 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

30A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

1 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1200pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

3 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

36 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-252-3

?

外形尺寸/長度:

6.73 mm

?

外形尺寸/寬度:

6.22 mm

?

外形尺寸/高度:

2.41 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-252-3

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Valves control, Lighting, Solenoids control, Single-ended motors

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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