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型號(hào): IPB027N10N5ATMA1
描述: 晶體管, MOSFET, N溝道, 166 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V
商品二維碼
封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
17.81  元 17.81元
5+:
¥ 20.8377
50+:
¥ 19.9472
200+:
¥ 19.4485
500+:
¥ 19.3239
1000+:
¥ 19.1992
2500+:
¥ 19.0567
5000+:
¥ 18.9677
7500+:
¥ 18.8786
數(shù)量
5+
50+
200+
500+
1000+
價(jià)格
20.8377
19.9472
19.4485
19.3239
19.1992
價(jià)格 20.8377 19.9472 19.4485 19.3239 19.1992
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
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技術(shù)參數(shù)/額定功率:

250 W

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

3.5 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

250 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

2.2 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

120A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

10300pF @50V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

250 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

17 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

250W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

10 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.25 mm

?

外形尺寸/高度:

4.4 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

無鉛

?

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