技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.76 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 89 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 500 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 6A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 55 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 9400pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 89 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 35 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 89W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | DPAK |
UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過(guò) 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。 UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展）和電子燈鎮(zhèn)流器。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號(hào)
最有幫助的評(píng)價(jià)
最新評(píng)價(jià)
暫時(shí)還沒(méi)有評(píng)價(jià)
期待你分享科技帶來(lái)的樂(lè)趣