技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 25.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 500 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 6 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.34 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel, Dual N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 300 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 800 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 50.0 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 340 pC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 25 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 25.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | 8.00 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 500 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 8.5 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 50pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 300 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 13 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 0.3 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SC-70-6 | ? |
外形尺寸/長度： | 2 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.25 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SC-70-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Industrial, Power Management | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
海關(guān)信息/香港進出口證： | NLR | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDG6335N
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
FDG6335N 編帶
|
||
|
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-363-6 |
雙N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
|
||
FDG6301N
|
Rochester (羅切斯特) | 功能相似 | SC-70 |
ON Semiconductor 雙 Si N溝道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引腳 SOT-363 (SC-70)封裝
|
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