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型號(hào): FQB34N20LTM
描述: QFET? N 通道 MOSFET,超過(guò) 31A,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專(zhuān)利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。 它們通過(guò)降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少通態(tài)損耗,并通過(guò)降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來(lái)減少切換損耗。 通過(guò)使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
商品二維碼
封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
22.26  元 22.26元
5+:
¥ 26.0442
50+:
¥ 24.9312
200+:
¥ 24.3079
500+:
¥ 24.1521
1000+:
¥ 23.9963
2500+:
¥ 23.8182
5000+:
¥ 23.7069
7500+:
¥ 23.5956
數(shù)量
5+
50+
200+
500+
1000+
價(jià)格
26.0442
24.9312
24.3079
24.1521
23.9963
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起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

2

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.075 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

3.13 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

2 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

520 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

3000pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

3.13 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

370 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

3.13 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.65 mm

?

外形尺寸/高度:

4.83 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

照明, 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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