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描述:
F-RAM,Cypress Semiconductor Ferroelectric 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 帶有后綴 A 的部件設(shè)計(jì)用于汽車應(yīng)用,且符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)。 非易失性鐵電 RAM 存儲(chǔ)器 快寫入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(鐵電 RAM) FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是非易失存儲(chǔ)器,將鐵電膜用作電容器來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 設(shè)備的特點(diǎn),具備高速存取、寫入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,這款存儲(chǔ)器特別適用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移動(dòng)電話和其他設(shè)備。
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/時(shí)鐘頻率: | 40 MHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓: | 2V ~ 3.6V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max): | 3.6 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min): | 2 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | DFN-8 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 4 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 4.5 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 0.7 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | DFN-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -40℃ ~ 85℃ (TA) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Unknown | ? |
其他/包裝方式: | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | 無鉛 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼: | EAR99 | ? |
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