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SupreMOS? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超級結(jié) MOSFET - SupreMOS?。 與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和總柵極電荷讓品質(zhì)因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列為相同的 RDS(接通)提供低柵極電荷,提供極佳的切換性能,切換和傳導損耗降低 20%,從而獲得更高的效率。 這些特征讓電源符合用于臺式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務(wù)器的白金分類。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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技術(shù)參數(shù)/上升時間: | 22 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 3595pF @100V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間: | 4 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-220 | ? |
外形尺寸/長度: | 10.36 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 16.07 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-220 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tube | ? |
符合標準/RoHS標準: | | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
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