技術參數(shù)/耗散功率: | 2500 mW | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 30 V | ? |
技術參數(shù)/上升時間: | 8 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 7350pF @15V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max): | 2.5 W | ? |
技術參數(shù)/下降時間: | 5 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max): | 2500 mW | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | Power-56 | ? |
外形尺寸/封裝: | Power-56 | ? |
物理參數(shù)/材質: | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準: | ? | |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | PQFN-8 |
PowerTrench? SyncFET? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor 設計用于盡量減少功率轉換的損耗,同時保持極佳的切換性能 高性能通道技術,RDS(接通)極低 SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管 應用:同步整流直流-直流轉換器、電動機驅動器、網(wǎng)絡負載點低側開關 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性,以減少結電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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