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型號(hào): FDD86326
描述: PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
商品二維碼
封 裝: TO-252
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
7.39  元 7.39元
10+:
¥ 8.8680
100+:
¥ 8.4246
500+:
¥ 8.1290
1000+:
¥ 8.1142
2000+:
¥ 8.0551
5000+:
¥ 7.9812
7500+:
¥ 7.9221
10000+:
¥ 7.8925
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
8.8680
8.4246
8.1290
8.1142
8.0551
價(jià)格 8.8680 8.4246 8.1290 8.1142 8.0551
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

3 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

780pF @50V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

2.9 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

62 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-252

?

外形尺寸/長度:

6.73 mm

?

外形尺寸/寬度:

6.22 mm

?

外形尺寸/高度:

2.39 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-252

?

物理參數(shù)/材質(zhì):

Silicon

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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