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型號(hào): FDMC7660
描述: PowerTrench? N 通道 MOSFET,超過(guò) 60A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類(lèi)型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
商品二維碼
封 裝: PowerTDFN-8
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
5.98  元 5.98元
10+:
¥ 7.1760
100+:
¥ 6.8172
500+:
¥ 6.5780
1000+:
¥ 6.5660
2000+:
¥ 6.5182
5000+:
¥ 6.4584
7500+:
¥ 6.4106
10000+:
¥ 6.3866
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
7.1760
6.8172
6.5780
6.5660
6.5182
價(jià)格 7.1760 6.8172 6.5780 6.5660 6.5182
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

6

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.0018 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

2.3 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1.7 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

6.8 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

3630pF @15V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

2.3 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

5.7 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

41 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

8

?

封裝參數(shù)/封裝:

PowerTDFN-8

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

3.3 mm

?

外形尺寸/寬度:

3.3 mm

?

外形尺寸/高度:

1.05 mm

?

外形尺寸/封裝:

PowerTDFN-8

?

物理參數(shù)/材質(zhì):

Silicon

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

計(jì)算機(jī)和計(jì)算機(jī)周邊, 電源管理, 便攜式器材

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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FDMC7660 FDMC7660 ON Semiconductor (安森美) 功能相似 PowerTDFN-8
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7660 晶體管, MOSFET, N溝道, 20 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.7 V
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