技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 150 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 4.90 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.04 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 2.05 nF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 29.0 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 150 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 150 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 4.90 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 4 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2050pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 22 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS2572
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | SOIC-8 |
UltraFET? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量，且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復(fù)時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。 應(yīng)用：高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動機驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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